很多小伙伴都知道在挑选内存的时候不光要看频率，还要看时序，或者叫延迟。也就是经常标注在内存表面，在测试软件中也能看到的那些中间的带短线连接的两位数。不过要问它们到底具体代表什么意思，相信很多小伙伴就只能摇头了。那咱们今天就来说一说它们的具体含义吧。

时序的意义非常简单，因为访问内存数据需要几个动作，这些数字就表示各个动作的延迟，或者说反应时间。其数字表示的是经过几个时钟周期，比如3000MHz的内存，一个22的延迟就表示需要22/3000M秒（7.3纳秒）。也许3600MHz的同一个动作延迟是24，那么它就需要24/3600M秒（6.6纳秒），后者看起来“延迟”大，但实际上比前者的动作还快一些。

那么，这些时序具体是什么动作呢？我们最常见的时序主要是“CL-tRCD-tRP-tRAS”，它们的含义依次为：

CL（CAS Latency）：列地址访问的延迟时间，是时序中最重要的参数；

tRCD（RAS to CAS Delay）：内存行地址传输到列地址的延迟时间；

tRP（RAS Precharge Time）：内存行地址选通脉冲预充电时间；

tRAS（RAS Active Time）：行地址激活的时间。

这里要注意内存的“行”与“列”的概念，它就是一种定位方式，用来帮助确定内存中的模块，对其中的数据进行读写。我们可以把内存想象成一个网格，每个方格内都存储着不同的数据。CPU需要什么数据，就向内存发来指令，比如想要C4位置的数据。

接下来内存就要先确定数据具体在哪一行，所以时序的第二个参数tRCD就是代表这个时间，意思就是内存控制器接收到行的指令后，需要等待多长时间才能访问这一行。仅靠行指令内存并不能哪一个数据才是CPU需要找的，所以tRCD的值是一个估值，而且是最大值，也就是找到“最里面”的数据需要多久。因此小幅改动这个值并不会影响内存的性能表现。

内存确定了行之后，要想找出数据，还得确定列。那么时序的第一个数字，也就是CL（CAS），表示内存确定了行数之后，还得等待多长时间才能访问具体列数的时间（时间周期）。确定了行数和列数之后，就能准确找到目标数据，所以CL是一个准确的值，所以它在时序当中是最关键的一个参数，任何改动都会影响内存性能的发挥。

内存时序的第三个参数tRP，就是如果我们找到这个数据后，根据CPU指令去寻找下一个数据，再确定另外一行所需要等待的时间。

第四个参数tRAS则可以简单理解成是内存写入或者读取数据的总时间，所以一般接近于前两个参数，既CL和tRCD的和。

所以在保障稳定性的前提下，同频率内存时序越低越好。那么，时序对内存性能影响有多大呢？我们来看看内存厂商自家的测试吧。

可以看到，内存时序的降低确实可以提升内存速度，不过主要变化还是在响应时间方面，而不是大家更关注的带宽。要注意的是，厂商拥有更好的样品和平台，测试的时序修改是比较“猛烈”的，小伙伴们只能在消费级主板上超频，实际上做到的修改幅度大约只相当于其中某两个相邻例子，很难重现从例1到例3这样的大幅修改，更不要说从例1到例4了，大家实际操作的时候千万不要贪多。