三星和IBM最近宣布了一种用于半导体设计的新型垂直晶体管架构。这种新的设计有可能使性能提高两倍，或者与目前领先的半导体制造公司使用的按比例的鳍状场效应晶体管（finFET）相比，减少85%的能源使用。这种新的芯片设计将使智能手机的电池寿命长达一周。

到目前为止，晶体管都是平放在半导体的表面上的。有了新的垂直传输场效应晶体管，或VTFET，晶体管是垂直于芯片的表面建立的，具有垂直的，或上下的电流流动。

在芯片设计者试图将更多的晶体管装入一个固定的空间时，VTFET工艺解决了许多性能方面的障碍和限制，延长了摩尔定律。它还影响了晶体管的接触点，允许更大的电流流动而减少能量浪费

《仙剑4》电视剧明年开机 角色设定公布 鞠婧祎主演

“今天的技术宣布是为了挑战传统，重新思考我们如何继续推动社会发展，提供新的创新，改善生活、商业和减少我们对环境的影响，”IBM研究院混合云和系统副总裁Mukesh Khare博士。”鉴于行业目前在多个方面面临的限制，IBM和三星正在展示我们对半导体设计联合创新的承诺，以及对我们所说的’硬科技’的共同追求。”